Photoelektrische Halbleiteroberfläche und Verfahren zu Ihrer Herstellung und Photodetektionsröhre mit Photoelektrischer Halbleiteroberfläche
EP1513185
Art A1
9. März 2005
Anmelder: HAMAMATSU PHOTONICS K.K., Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1513185
- Aktenzeichen
- EP03730551
- Anmeldetag
- 21. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 9. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01J40/06H01J1/34H01J7/18H01J9/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
Hamamatsu Photonics K.K. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hamamatsu Photonics
Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.
1.968 Patente in unserer Datenbank