Halbleitersubstratherstellungsverfahren und Halbleiterbauelementeherstellungsverfahren und durch die Verfahren Hergestelltes Halbleitersubstrat und Halbleiterbauelement

EP1513198 Art A1 9. März 2005

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1513198
Aktenzeichen: EP03721079
Anmeldetag: 8. Mai 2003
Veröffentlichung: 9. März 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/108H01L21/764H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von