Durch LEPECVD und MOCVD auf Silizium hergestellte GaAs/GaAs-Laser

EP1513233 Art B1 29. Oktober 2008

Anmelder: Epispeed S.A., Politecnico Di Milano 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1513233
Aktenzeichen: EP03020169
Anmeldetag: 5. September 2003
Veröffentlichung: 29. Oktober 2008
Erteilung: 29. Oktober 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/02H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Epispeed S.A.
Politecnico Di Milano
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇮🇹 Politecnico di Milano

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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