Halbleiteranordnung mit einem MOS-Transistor und Verfahren zu deren Herstellung
EP1515371
Art B1
29. April 2015
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1515371
- Aktenzeichen
- EP04021508
- Anmeldetag
- 9. September 2004
- Veröffentlichung
- 29. April 2015
- Erteilung
- 29. April 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/10H01L29/06H01L21/336// H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Schäfer, Horst
München, Deutschland
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