Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit einer Mehrzahl von Gatestapeln auf einem Halbleitersubstrat und Entsprechende Halbleiterstruktur
EP1516365
Art A1
23. März 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1516365
- Aktenzeichen
- EP03735476
- Anmeldetag
- 27. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 23. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Barth, Stephan Manuel
München, Deutschland
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