Dielektrische Schichten aus Hafnium-Aluminiumoxid
EP1518263
Art A1
30. März 2005
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1518263
- Aktenzeichen
- EP03757347
- Anmeldetag
- 5. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 30. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Collins, John David
London, Großbritannien
1.014
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17
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