Verfahren zum Ätzen Dielektrischer Schichten mit Verbesserter Resist-Und/oder Ätzprofilcharakteristik
EP1518265
Art A2
30. März 2005
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1518265
- Aktenzeichen
- EP03760356
- Anmeldetag
- 13. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 30. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Diehl, Hermann O. Th
München, Deutschland
81
Patente gesamt
23
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Diehl, Hermann, Dr. Dipl.-Phys
NoneMünchen