Unter ein Pad Integrierte Halbleiterstruktur
EP1518272
Art B1
29. April 2009
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1518272
- Aktenzeichen
- EP03761414
- Anmeldetag
- 12. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 29. April 2009
- Erteilung
- 29. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/485
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Karl, Frank
Baldham, Deutschland
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10
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