Verfahren zur Herstellung eines Kurzkanal-Feldeffekttransistors
EP1520293
Art B1
13. Dezember 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1520293
- Aktenzeichen
- EP03762412
- Anmeldetag
- 21. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 13. Dezember 2006
- Erteilung
- 13. Dezember 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.937 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
362
Patente gesamt
27
Fachgebiete
14
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Kindermann, Peter, Dipl.-Ing
NoneGrasbrunn