Halbleiterbauelement mit Integriertem Radialsymmetrischem Widerstand
EP1520303
Art A1
6. April 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG, eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1520303
- Aktenzeichen
- EP03763689
- Anmeldetag
- 2. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 6. April 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/8605H01L29/74
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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