Nitrid-Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren dafür

EP1521310 Art A3 26. Januar 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1521310
Aktenzeichen: EP04021388
Anmeldetag: 8. September 2004
Veröffentlichung: 26. Januar 2011
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/18C30B29/40H01L21/20H01L21/205H01L21/02// H01L33/00H01L33/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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