Halbleiterbauelement mit Stressaufnehmender Halbleiterschicht sowie Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1522092
Art B1
31. August 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1522092
- Aktenzeichen
- EP03764890
- Anmeldetag
- 11. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 31. August 2011
- Erteilung
- 31. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/02H01L21/762H01L21/314H01L29/10H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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Weitere Vertreter
-
Kindermann, Peter, Dipl.-Ing
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