Iii-V-Halbleiterverbindungskristall und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1522612 Art A1 13. April 2005

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1522612
Aktenzeichen: EP04725190
Anmeldetag: 1. April 2004
Veröffentlichung: 13. April 2005
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/40C30B29/38H01L21/205H01L21/302H01L21/20H01L33/00H01S5/30

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von