Verfahren zur Übertragung einer Dünnen, Elektrisch Aktiven Schicht
Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A., Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1523771
- Aktenzeichen
- EP03750808
- Anmeldetag
- 15. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 12. Mai 2010
- Erteilung
- 12. Mai 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.
Soitec - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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