Verfahren zur Übertragung einer Dünnen, Elektrisch Aktiven Schicht
EP1523771
Art B8
12. Mai 2010
Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A., Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1523771
- Aktenzeichen
- EP03750808
- Anmeldetag
- 15. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 12. Mai 2010
- Erteilung
- 12. Mai 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.
Soitec - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Poulin, Gérard
Paris, Frankreich
1.981
Patente gesamt
33
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte