Halbleiterbauelement mit Grabenisolierung sowie Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1523774
Art A1
20. April 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1523774
- Aktenzeichen
- EP03787690
- Anmeldetag
- 19. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 20. April 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/763
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.937 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
362
Patente gesamt
27
Fachgebiete
14
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Karl, Frank
NoneBaldham