Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer dielektrischen Schicht aus Silizium-Oxynitrid
Anmelder: IMEC, NXP B.V., INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW, Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1524685
- Aktenzeichen
- EP03447258
- Anmeldetag
- 17. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2013
- Erteilung
- 23. Januar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/51H01L21/265
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- IMEC
NXP B.V.
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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