Verfahren zur Herstellung CMOS Bauelementen mit einer kerbenförmigen Gatterisolierschicht und so erhaltene Vorrichtungen
Anmelder: IMEC, NXP B.V., INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW, Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1524699
- Aktenzeichen
- EP03447260
- Anmeldetag
- 17. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2012
- Erteilung
- 26. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/49H01L21/265H01L29/423
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- IMEC
NXP B.V.
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇧🇪 Belgien
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