Dünnschichttransistor mit Substratanschluss
EP1524702
Art A3
1. März 2006
Anmelder: Samsung SDI Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1524702
- Aktenzeichen
- EP04090396
- Anmeldetag
- 12. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 1. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Samsung SDI Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung SDI
Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.
7.850 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hengelhaupt, Jürgen
Berlin, Deutschland
1.231
Patente gesamt
32
Fachgebiete
22
Anmelder-Länder
Schwerpunkte