Verfahren zur Vermeidung eines Lawinendurchbruchs verursacht durch einen lateralen, bipolaren, parasitären Transistor in einem MOS-Prozess
EP1524766
Art B1
20. Juni 2012
Anmelder: Broadcom Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1524766
- Aktenzeichen
- EP04024573
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2012
- Erteilung
- 20. Juni 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F1/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Broadcom Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Broadcom
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Kommunikations-, Netzwerk- und Speicherchips. Die ursprüngliche Broadcom Corporation ging 2016 in der heutigen Broadcom Inc. auf.
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Vertreten von
Jehle, Volker Armin
München, Deutschland
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