Verfahren zur Vermeidung eines Lawinendurchbruchs verursacht durch einen lateralen, bipolaren, parasitären Transistor in einem MOS-Prozess

EP1524766 Art B1 20. Juni 2012

Anmelder: Broadcom Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1524766
Aktenzeichen
EP04024573
Anmeldetag
14. Oktober 2004
Veröffentlichung
20. Juni 2012
Erteilung
20. Juni 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H03F1/22
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Broadcom Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Broadcom

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Kommunikations-, Netzwerk- und Speicherchips. Die ursprüngliche Broadcom Corporation ging 2016 in der heutigen Broadcom Inc. auf.

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