Verfahren zur Füllung von Graben- und Reliefgeometrien in Halbleiterstrukturen
EP1525611
Art B1
24. Januar 2007
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1525611
- Aktenzeichen
- EP03756972
- Anmeldetag
- 10. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 24. Januar 2007
- Erteilung
- 24. Januar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/285
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Hudler, Frank
Dresden, Deutschland
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