Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf Gan-Basis
EP1525625
Art B1
30. Juli 2014
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Osram Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1525625
- Aktenzeichen
- EP03787607
- Anmeldetag
- 20. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 30. Juli 2014
- Erteilung
- 30. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Osram Opto Semiconductors GmbH - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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