Verfahren zur Herstellung eines Siliziumnanokristalls, Siliziumnanokristall, Verfahren zur Herstellung eines 'floating-gate-type'-Speicherkondensatorstruktur und 'floating-gate-type'-Speicherkondensatorstruktur
EP1526566
Art A2
27. April 2005
Anmelder: National University Corporation Nagoya University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1526566
- Aktenzeichen
- EP04020630
- Anmeldetag
- 31. August 2004
- Veröffentlichung
- 27. April 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/02H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National University Corporation Nagoya University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National University Corporation Nagoya University
Japanische staatliche Universität mit umfangreicher Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin, unter anderem bekannt für Arbeiten zu LED-Technologie. Trägerin zahlreicher Patente aus Universitätsforschung in Japan.
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von Hellfeld, Axel
München, Deutschland
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