Monolithisch integrierte Schaltungsanordnung mit einem Dünnschichtwiderstand und Verfahren zu deren Herstellung
EP1526575
Art A3
7. Mai 2008
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1526575
- Aktenzeichen
- EP04445089
- Anmeldetag
- 7. September 2004
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/06H01L29/417H01L29/40H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fritzon, Rolf
Stockholm, Schweden
317
Patente gesamt
26
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte