System und Methode für die Herstellung Zircon- Und/oder Hafniumhältiger Schichten
EP1532290
Art B1
24. Dezember 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1532290
- Aktenzeichen
- EP03754423
- Anmeldetag
- 27. August 2003
- Veröffentlichung
- 24. Dezember 2008
- Erteilung
- 24. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/40H01L21/316C23C16/00H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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