Halbleitervorrichtungen mit Isolierungsgebieten mit einem Gate und Indium-Dotierten Unterregionen
EP1532678
Art A2
25. Mai 2005
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1532678
- Aktenzeichen
- EP03751923
- Anmeldetag
- 25. August 2003
- Veröffentlichung
- 25. Mai 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/765H01L21/8238H01L27/105H01L27/108H01L21/8242H01L29/10// H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hackett, Sean James
Birmingham, Großbritannien
646
Patente gesamt
33
Fachgebiete
22
Anmelder-Länder
Schwerpunkte