Heteroübergang-Bipolartransistor

EP1533849 Art B1 7. April 2010

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation, NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1533849
Aktenzeichen: EP04026031
Anmeldetag: 3. November 2004
Veröffentlichung: 7. April 2010
Erteilung: 7. April 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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