Dünnschicht-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Schaltung oder elektronische Vorrichtung damit

EP1533855 Art A1 25. Mai 2005

Anmelder: Seiko Epson Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1533855
Aktenzeichen
EP04027315
Anmeldetag
17. November 2004
Veröffentlichung
25. Mai 2005
Rechtsraum
EP
IPC
H01L51/40H01L21/20C25D3/00G02F1/167
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Seiko Epson Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Epson

Japanisches Unternehmen, das Drucker, Scanner, Projektoren sowie Uhrwerke und Sensortechnik entwickelt und herstellt.

7.261 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen