Transistorelement mit einer Gatedielektrikum-Schicht mit Hoher und Anisotroper Dielektrizitätskonstante
EP1535316
Art A1
1. Juni 2005
Anmelder: GLOBALFOUNDRIES Inc., ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1535316
- Aktenzeichen
- EP03752145
- Anmeldetag
- 29. August 2003
- Veröffentlichung
- 1. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- GLOBALFOUNDRIES Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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