Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekt-Transistor und einem Passiven Kondensator, der einen Verringerten Leckstrom und eine Verbesserte Kapazität pro Flächeneinheit Aufweist
EP1535332
Art B1
11. April 2012
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1535332
- Aktenzeichen
- EP03791994
- Anmeldetag
- 29. August 2003
- Veröffentlichung
- 11. April 2012
- Erteilung
- 11. April 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/06H01L27/08H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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