Halbleiterspeicher mit Vertikalen Speichertransistoren in einer Zellenfeldanordnung mit 1 - 2F - Zellen

EP1535335 Art B1 9. Juli 2008

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1535335
Aktenzeichen: EP03793746
Anmeldetag: 21. August 2003
Veröffentlichung: 9. Juli 2008
Erteilung: 9. Juli 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/115H01L21/8246H01L29/792H01L21/28H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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