Quasi-Vertikales Leistungshalbleiterbauelement auf einem Verbindungssubstrat
Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, Commissariat A L'Energie Atomique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1535346
- Aktenzeichen
- EP03780259
- Anmeldetag
- 1. September 2003
- Veröffentlichung
- 1. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Commissariat A L'Energie Atomique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank