Halbleitervorrichtung aus einer III-V Verbindung auf GaN-Basis und P-Typ-Elektrode für diese Vorrichtung
Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., Gwangju Institute of Science and Technology, SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1536481
- Aktenzeichen
- EP04256575
- Anmeldetag
- 25. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2011
- Erteilung
- 8. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/45H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Samsung Electronics Co., Ltd.
Gwangju Institute of Science and Technology
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. - Land
- 🇰🇷 Südkorea
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
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Das Gwangju Institute of Science and Technology ist eine staatliche technische Hochschule in Südkorea mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt durch Mess- und Prüftechnik sowie organische Chemie. Anmeldungen reichen von 2004 bis in die Gegenwart.
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