Verfahren und Vorrichtung zum Einstellen und Kompensieren der Leselatenz in einem Hochgeschwindigkeits-Dram
EP1537582
Art B1
25. Juli 2007
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1537582
- Aktenzeichen
- EP03791767
- Anmeldetag
- 27. August 2003
- Veröffentlichung
- 25. Juli 2007
- Erteilung
- 25. Juli 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Collins, John David
London, Großbritannien
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