Laserbestrahlungsvorrichtung, Laserbestrahlungsverfahren und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP1537938
Art A3
18. Februar 2009
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1537938
- Aktenzeichen
- EP04027765
- Anmeldetag
- 23. November 2004
- Veröffentlichung
- 18. Februar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B23K26/073H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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