Kristall eines Nitrids der Gruppe III, Verfahren zur dessen Herstellung und Vorrichtung zur Herstellung eines Kristalls eines Nitrids der Gruppe III

EP1538241 Art B1 17. Dezember 2008

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1538241
Aktenzeichen
EP04023416
Anmeldetag
1. Oktober 2004
Veröffentlichung
17. Dezember 2008
Erteilung
17. Dezember 2008
Rechtsraum
EP
IPC
C30B9/00C30B29/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen