Diborideinkristallsubstrat, Halbleitervorrichtung damit und Herstellungsverfahren dafür

EP1538243 Art B1 22. Juli 2009

Anmelder: National Institute for Materials Science, KYOCERA CORPORATION, Kyocera Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1538243
Aktenzeichen
EP03792773
Anmeldetag
21. August 2003
Veröffentlichung
22. Juli 2009
Erteilung
22. Juli 2009
Rechtsraum
EP
IPC
C30B29/10H01L29/12H01S5/323
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
National Institute for Materials Science
KYOCERA CORPORATION
Kyocera Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

828 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Kyocera

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.

6.341 Patente in unserer Datenbank

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