Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur
EP1540712
Art B1
9. Dezember 2009
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1540712
- Aktenzeichen
- EP03794962
- Anmeldetag
- 28. August 2003
- Veröffentlichung
- 9. Dezember 2009
- Erteilung
- 9. Dezember 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/027H01L21/033H01L21/308H01L21/311H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Barth, Stephan Manuel
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