Verfahren zum Oxidieren einer Schicht und Zugehörige Aufnahmevorrichtungen für ein Substrat

EP1540717 Art B1 25. Februar 2015

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1540717
Aktenzeichen
EP03783922
Anmeldetag
26. Juli 2003
Veröffentlichung
25. Februar 2015
Erteilung
25. Februar 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/02H01S5/183H01L21/316H01L21/322H01L21/324H01L21/687H01L21/67
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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