Verfahren zum Oxidieren einer Schicht und Zugehörige Aufnahmevorrichtungen für ein Substrat
EP1540717
Art B1
25. Februar 2015
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1540717
- Aktenzeichen
- EP03783922
- Anmeldetag
- 26. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 25. Februar 2015
- Erteilung
- 25. Februar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01S5/183H01L21/316H01L21/322H01L21/324H01L21/687H01L21/67
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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