Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit im Substrat Vergrabenen Kondensatoren und davon Isolierter Bauelementschicht
EP1540725
Art B1
18. Juni 2008
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1540725
- Aktenzeichen
- EP03747835
- Anmeldetag
- 13. September 2003
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2008
- Erteilung
- 18. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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-
Kindermann, Peter, Dipl.-Ing
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