Verfahren zur Herstellung einer Vergrabenen Stoppzone in einem Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement mit einer Vergrabenen Stoppzone
EP1540735
Art B1
1. November 2017
Anmelder: Infineon Technologies AG, eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1540735
- Aktenzeichen
- EP03798138
- Anmeldetag
- 27. August 2003
- Veröffentlichung
- 1. November 2017
- Erteilung
- 1. November 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/36H01L29/06H01L29/10H01L29/167H01L21/30H01L21/266H01L21/329H01L21/336H01L21/331H01L21/332
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Bickel, Michael
München, Deutschland
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