Verfahren zur Verbesserung der Qualität einer Heterostruktur
EP1542275
Art A1
15. Juni 2005
Anmelder: S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A., COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1542275
- Aktenzeichen
- EP03293102
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 15. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A.
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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