Speicherzelle mit einer Schicht mit kolossalem Magnetowiderstand und asymmetrischer Fläche

EP1542276 Art B1 11. März 2015

Anmelder: Xenogenic Development Limited Liability Company, Intellectual Properties I Kft., Sharp Kabushiki Kaisha 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1542276
Aktenzeichen
EP04027536
Anmeldetag
19. November 2004
Veröffentlichung
11. März 2015
Erteilung
11. März 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8247H01L27/24H01L45/00H01L21/8239H01L27/105G11C13/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Xenogenic Development Limited Liability Company
Intellectual Properties I Kft.
Sharp Kabushiki Kaisha
Land
🇺🇸 USA
🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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