Hochfrequenz Bipolartransistor
EP1542287
Art B1
1. Februar 2012
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1542287
- Aktenzeichen
- EP03028319
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 1. Februar 2012
- Erteilung
- 1. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/08H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schoppe, Fritz
Pullach, Deutschland
2.765
Patente gesamt
31
Fachgebiete
23
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schoppe, Fritz, Dipl.-Ing
NoneMünchen