Hochdichtes Aufzeichnungsmedium mit Superauflösender Nahfeldstruktur, hergestellt unter Verwendung einer Metalloxid-Oder Siliziumoxid-Maskenschicht mit Hohem Schmelzpunkt
EP1543505
Art A1
22. Juni 2005
Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., National Institue of Advanced Industrial Science and Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1543505
- Aktenzeichen
- EP03798584
- Anmeldetag
- 24. September 2003
- Veröffentlichung
- 22. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11B7/24G11B7/0045
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Samsung Electronics Co., Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
National Institue of Advanced Industrial Science and Technology - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
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🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
147 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Johnson, Graham Pierssene
Halifax, Großbritannien
93
Patente gesamt
28
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte