Seitenwandglattung bei Ätzung mit Hohem Seitenverhältnis und Hoher Tiefe mit einem Diskreten Gasumschaltverfahren

EP1543540 Art B1 23. November 2016

Anmelder: Unaxis USA Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1543540
Aktenzeichen
EP03774456
Anmeldetag
13. August 2003
Veröffentlichung
23. November 2016
Erteilung
23. November 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01J37/32
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Unaxis USA Inc.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Lorenz, Werner Heidenheim, Deutschland
352
Patente gesamt
33
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Optik & Fototechnik Medizintechnik & Gesundheit Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Software & Datenverarbeitung Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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