Herstellung eines Volumenwellen-Resonators (fbar) auf Silizium 110 Wafern mittels Anisotropem Ätzen Welches von der Kristallorientierung Abhängt
EP1543615
Art A2
22. Juni 2005
Anmelder: Intel Corporation, INTEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1543615
- Aktenzeichen
- EP03754769
- Anmeldetag
- 17. September 2003
- Veröffentlichung
- 22. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03H3/02H03H9/17
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
INTEL CORPORATION - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Dunlop, Hugh Christopher
Basingstoke, Großbritannien
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