Verfahren zur Herstellung einer Dünnen Schicht, Einschliesslich eines Schrittes des Korrigierens der Dicke durch Hilfsoxidation und Zugehörige Vorrichtung
EP1547143
Art B1
13. Oktober 2010
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1547143
- Aktenzeichen
- EP03784416
- Anmeldetag
- 11. August 2003
- Veröffentlichung
- 13. Oktober 2010
- Erteilung
- 13. Oktober 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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