Herstellungsverfahren eines Sicoi-Substrats mit einem Epitaxieschritt
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Soitec, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, Commissariat A L'Energie Atomique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1547145
- Aktenzeichen
- EP03780258
- Anmeldetag
- 1. September 2003
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/76
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Soitec
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Commissariat A L'Energie Atomique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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