Cmos Aps mit Gestapelter Lawinenvermehrungsschicht und Niederspannungsausleseschaltung
EP1547152
Art B1
8. April 2009
Anmelder: Aptina Imaging Corporation, Micron Technology, Inc. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1547152
- Aktenzeichen
- EP03754405
- Anmeldetag
- 22. August 2003
- Veröffentlichung
- 8. April 2009
- Erteilung
- 8. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/146
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Aptina Imaging Corporation
Micron Technology, Inc. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Collins, John David
London, Großbritannien
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