Cmos Aps mit Gestapelter Lawinenvermehrungsschicht und Niederspannungsausleseschaltung

EP1547152 Art B1 8. April 2009

Anmelder: Aptina Imaging Corporation, Micron Technology, Inc. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1547152
Aktenzeichen
EP03754405
Anmeldetag
22. August 2003
Veröffentlichung
8. April 2009
Erteilung
8. April 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/146
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Aptina Imaging Corporation
Micron Technology, Inc.
Land
🇰🇾 KY
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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