Verfahren für das Herstellen von Siliziumnitridschichten und Herstellen von Halbleiterbauelementen mit diesem Verfahren
EP1548814
Art A3
27. Mai 2009
Anmelder: L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude, Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., L'AIR LIQUIDE S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1548814
- Aktenzeichen
- EP04106979
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/318
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.
L'AIR LIQUIDE S.A. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Fachgebiete
Vertreten von
Vesin, Jacques
Paris, Frankreich
81
Patente gesamt
16
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte